
先进功率器件设计与验证
涵盖 SiC 宽禁带半导体、沟槽栅场截止 IGBT、屏蔽栅/沟槽栅 MOSFET 等先进器件技术,产品实现 1200V 高耐压、低导通损耗与高频开关特性;全系列 MOSFET 经过 100% 雪崩测试验证,确保器件在严苛工况下的可靠性。
燊塔科技以自主创新为核心驱动力,建立了覆盖集成电路设计、测试与品质管控的完整研发体系。依托苏州工业园区的半导体产业集群优势,公司汇聚了从芯片定义、电路设计到工艺适配、可靠性验证的全流程研发能力,形成了从电源管理到功率驱动、从信号接口到安全保护的完整技术布局。
我们坚持以客户的真实应用场景定义产品,让研发方向始终与市场需求同频。每一款芯片从立项到量产,都要经过严格的测试验证与品质管控,确保产品性能与可靠性达到行业领先水平,以扎实的研发实力,为客户的每一次选型提供确定性保障。



