技术与研发技术与研发

技术与研发

自主研发体系

燊塔科技以自主创新为核心驱动力,建立了覆盖集成电路设计、测试与品质管控的完整研发体系。依托苏州工业园区的半导体产业集群优势,公司汇聚了从芯片定义、电路设计到工艺适配、可靠性验证的全流程研发能力,形成了从电源管理到功率驱动、从信号接口到安全保护的完整技术布局。

我们坚持以客户的真实应用场景定义产品,让研发方向始终与市场需求同频。每一款芯片从立项到量产,都要经过严格的测试验证与品质管控,确保产品性能与可靠性达到行业领先水平,以扎实的研发实力,为客户的每一次选型提供确定性保障。

先进功率器件设计与验证

先进功率器件设计与验证

涵盖 SiC 宽禁带半导体、沟槽栅场截止 IGBT、屏蔽栅/沟槽栅 MOSFET 等先进器件技术,产品实现 1200V 高耐压、低导通损耗与高频开关特性;全系列 MOSFET 经过 100% 雪崩测试验证,确保器件在严苛工况下的可靠性。
高效电源管理架构

高效电源管理架构

采用电流模式与 COT 控制架构、高效率同步整流技术,电源管理产品实现高达 96% 的转换效率、低静态功耗与快速瞬态响应,以更少的外围器件帮助客户简化设计、缩小方案体积。
信号隔离与接口技术

信号隔离与接口技术

基于 SiO₂ 绝缘栅的数字隔离技术,实现高隔离电压、100+Mbps 高速传输与低功耗运行;配合高 ESD 防护的接口芯片设计,为工业通信与信号链系统提供安全可靠的隔离与传输方案。
定制化设计与应用支持

定制化设计与应用支持

根据客户的真实应用场景定义和设计芯片产品,提供从规格定义到量产交付的定制化设计服务;专业 FAE 团队同步提供应用方案设计与调试支持,让每一颗芯片精准匹配市场需求。